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晶体管
RGW60TS65DGC11参考图片

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RGW60TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
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库存:4,103(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.5781
36.5781
10
¥31.0411
310.411
100
¥26.9731
2697.31
250
¥25.5832
6395.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
178 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,RGW60TS65DGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH -60V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥7.2998
10:¥5.8308
3,000:¥5.8308
参考库存:34332
晶体管
MOSFET N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
1:¥19.8202
10:¥16.9048
100:¥13.5261
500:¥11.8311
1,000:¥9.7632
参考库存:4349
晶体管
MOSFET
1:¥7.3789
10:¥6.3506
100:¥4.8816
500:¥4.3053
1,000:¥3.4013
2,500:¥3.4013
参考库存:66011
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥248.2723
5:¥237.1305
10:¥229.6725
25:¥211.084
参考库存:3792
晶体管
IGBT 晶体管 LC IH RC OSV
1:¥24.3628
10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
参考库存:4171
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