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晶体管
RGW60TS65DGC11参考图片

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RGW60TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
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数量单价合计
1
¥36.5781
36.5781
10
¥31.0411
310.411
100
¥26.9731
2697.31
250
¥25.5832
6395.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
178 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,RGW60TS65DGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED PAIR
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.78422
参考库存:3590
晶体管
MOSFET 600V N-Channel MOSFET, UniFET-II
1:¥8.2942
10:¥7.119
100:¥5.4579
500:¥4.8364
参考库存:2357
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC70 GP XSTR NPN 40V
1:¥0.99892
10:¥0.88366
100:¥0.31527
1,000:¥0.20792
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:27930
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥5.2997
10:¥4.407
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
参考库存:8125
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 6-Pin
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
8,000:¥0.35369
24,000:查看
参考库存:15479
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