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晶体管
RGW60TS65DGC11参考图片

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RGW60TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
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库存:4,103(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.5781
36.5781
10
¥31.0411
310.411
100
¥26.9731
2697.31
250
¥25.5832
6395.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
178 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,RGW60TS65DGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5314
500:¥5.7743
1,000:¥4.5539
参考库存:2779
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
1:¥16.5997
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:2659
晶体管
MOSFET MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC
1:¥16.9048
10:¥14.2945
100:¥11.4469
500:¥9.9892
800:¥8.2942
参考库存:2023
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6331
500:¥5.8647
参考库存:2491
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
1:¥4.8364
10:¥4.068
100:¥2.6216
1,000:¥2.1018
3,000:¥2.1018
参考库存:10472
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