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晶体管
STP11NM60FD参考图片

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STP11NM60FD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
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库存:2,819(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.9677
31.9677
10
¥27.1991
271.991
100
¥23.5944
2359.44
250
¥22.3627
5590.675
500
¥20.0575
10028.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
160 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP11NM60FD
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
5.2 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP11NM60FD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz
1:¥2.6894
10:¥1.7176
100:¥0.71416
1,000:¥0.49155
4,000:¥0.36838
参考库存:10653
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:9169
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 21A 18W UMOSVIII 710pF 12nC
1:¥6.8365
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
3,000:¥2.2939
参考库存:5573
晶体管
达林顿晶体管 4A 60V Bipolar Power NPN
1:¥5.6048
10:¥4.633
100:¥2.9945
1,000:¥2.3843
参考库存:3718
晶体管
MOSFET 30V 7A N-Channel
1:¥5.989
10:¥4.9381
100:¥3.1866
1,000:¥2.5538
2,500:¥2.147
参考库存:7865
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