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晶体管
STP11NM60FD参考图片

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STP11NM60FD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
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库存:2,819(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.9677
31.9677
10
¥27.1991
271.991
100
¥23.5944
2359.44
250
¥22.3627
5590.675
500
¥20.0575
10028.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
160 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP11NM60FD
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
5.2 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP11NM60FD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Small-signal MOSFET
1:¥1.2317
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:201365
晶体管
MOSFET N Ch 800V 13 Ohm 1A
1:¥5.4579
10:¥4.4974
100:¥2.9041
1,000:¥2.3278
2,000:¥1.9662
参考库存:15211
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/40 FAST IGBT FSII T
1:¥40.2619
10:¥34.1938
100:¥29.6625
250:¥28.1257
参考库存:10589
晶体管
MOSFET Nch 60V 12A Si MOSFET
1:¥5.2206
10:¥4.3618
100:¥2.8137
1,000:¥2.2487
3,000:¥1.8984
参考库存:6317
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥33.5045
10:¥26.9731
100:¥24.5097
250:¥22.1254
参考库存:7733
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