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晶体管
IRLR3717TRRPBF参考图片

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IRLR3717TRRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 21nC
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数量单价合计
6,000
¥3.8985
23391
9,000
¥3.7629
33866.1
24,000
¥3.6386
87326.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.45 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
21 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
49 S
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
5.8 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
SP001569116
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IRLR3717TRRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DU2840V
MACOM
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥613.4092
5:¥552.0954
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MRF6V3090NBR1
NXP / Freescale
晶体管
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500:¥382.1999
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10,000:¥0.62263
20,000:¥0.58421
50,000:¥0.52206
100,000:¥0.49946
参考库存:28917
BUK768R1-100E,118
Nexperia
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4,800:¥6.5201
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Littelfuse
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参考库存:28923
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