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晶体管
IKD06N60RAATMA2参考图片

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IKD06N60RAATMA2

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数量单价合计
2,500
¥5.4014
13503.5
5,000
¥5.198
25990
10,000
¥5.0059
50059
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKD06N60RA SP000979642
商品其它信息
优势价格,IKD06N60RAATMA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET - CoolMOS
1:¥86.0608
10:¥78.2186
25:¥72.3087
50:¥68.3876
参考库存:1689
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
1:¥113.8023
10:¥103.4289
25:¥95.6658
50:¥90.4452
参考库存:1662
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 20V
1:¥0.99892
10:¥0.84524
100:¥0.29945
1,000:¥0.20001
10,000:¥0.13108
20,000:查看
参考库存:51082
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 2.3A SOT-89-3
1:¥3.842
10:¥3.2318
100:¥1.9775
1,000:¥1.5255
2,000:¥1.2995
参考库存:4338
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:98099
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