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晶体管
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SP8J66TB1

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库存:28,870(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥8.6784
21696
5,000
¥8.3733
41866.5
10,000
¥7.9891
79891
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
13.5 mOhms
Qg-栅极电荷
35 nC, 35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
2 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,SP8J66TB1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥901.6383
2:¥873.6708
5:¥873.4448
10:¥845.24
参考库存:2822
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥2.6894
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:9701
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥4.9155
10:¥4.1245
100:¥2.5199
1,000:¥1.9436
2,500:¥1.6611
参考库存:5816
晶体管
MOSFET N-Ch 500V 10A I2PAK-3 CoolMOS CP
1:¥14.9047
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.8366
1,000:¥7.3789
参考库存:3218
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT
1:¥988.7726
2:¥961.4944
5:¥939.4481
10:¥912.0117
参考库存:2836
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