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晶体管

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VS-GB200LH120N

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.07 V
在25 C的连续集电极电流
370 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.562 kW
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,VS-GB200LH120N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.8873
500:¥5.198
2,500:¥3.6386
10,000:查看
参考库存:5518
晶体管
MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
1:¥3.6838
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
8,000:¥0.52997
24,000:查看
参考库存:21911
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 20MA
1:¥2.6894
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:71092
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Volt Power
1:¥32.657
10:¥27.7415
100:¥24.0464
250:¥22.826
参考库存:4291
晶体管
MOSFET 50V 130mA P-Channel
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:207858
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