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晶体管
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FQPF4N90C

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数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥7.9891
798.91
500
¥7.0512
3525.6
1,000
¥5.8421
5842.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
47 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.07 mm
长度
10.36 mm
系列
FQPF4N90C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
FQPF4N90C_NL
单位重量
2.270 g
商品其它信息
优势价格，FQPF4N90C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STP80NF03L-04
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp
1:¥25.8205
10:¥21.9785
100:¥18.984
250:¥18.0574
参考库存:4290
R6007ENJTL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
1,000:¥6.1359
参考库存:4272
PDTC123YMB,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTC123YMB/XQFN3/REEL 7" Q1/T1
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.62263
20,000:查看
参考库存:13264
ZXMN6A07FQTA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 3K
1:¥3.616
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:4241
IRF7104TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A
1:¥5.4579
10:¥4.5426
100:¥2.938
1,000:¥2.3391
4,000:¥2.3391
参考库存:6968
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