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晶体管
TGF2929-FL参考图片

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TGF2929-FL

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN
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数量单价合计
1
¥2,881.50
2881.5
25
¥2,600.5707
65014.2675
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
GaN SiC
Id-连续漏极电流
12 A
Vds-漏源极击穿电压
28 V
增益
14 dB
输出功率
107 W
封装
Tray
工作频率
3.5 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
144 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
145 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.9 V
零件号别名
1123811
商品其它信息
优势价格,TGF2929-FL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 26A
1:¥136.0859
10:¥125.1701
25:¥119.9495
100:¥105.7341
参考库存:2075
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vds 60Vdg 40Vgs
1:¥3.6838
10:¥2.7007
100:¥1.5481
1,000:¥1.13
3,000:¥0.97632
参考库存:4741
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:4989
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:5044
晶体管
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2885
500:¥6.4523
2,000:¥4.5087
10,000:查看
参考库存:4689
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