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晶体管
STP25N60M2-EP参考图片

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STP25N60M2-EP

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 package
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数量单价合计
1
¥30.1258
30.1258
10
¥25.5832
255.832
100
¥22.2045
2220.45
250
¥21.0519
5262.975
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
188 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STP25N60M2-EP
商标
STMicroelectronics
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP25N60M2-EP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual NPN Transistor 6 Pin
1:¥280.3869
10:¥273.7086
100:¥268.6349
250:¥258.5666
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥43.8779
10:¥39.1093
25:¥35.1882
100:¥32.1146
参考库存:4803
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥47.1775
10:¥42.6462
25:¥40.7252
100:¥35.3464
参考库存:4735
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage fast switching NPN power transistor
1:¥7.7631
10:¥6.6331
100:¥5.0963
500:¥4.4974
参考库存:4499
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥633.0825
5:¥613.8725
10:¥594.6625
25:¥567.8476
参考库存:4549
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