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晶体管
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IRF8707TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 30V 11A 11.9mOhm 6.2nC Qg
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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥3.1301
31.301
100
¥1.9097
190.97
1,000
¥1.4803
1480.3
4,000
¥1.2656
5062.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
17.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
6.2 nC
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001555780
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格，IRF8707TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVD4C05NT4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DPAK 30V 4.1MO
1:¥6.3732
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
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RN2902FE,LF(CT
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:25289
EMG2T2R
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1:¥3.5369
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100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:25292
NVD6415ANLT4G-VF01
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM
1:¥8.7575
10:¥7.4354
100:¥5.7178
500:¥5.0511
2,500:¥3.5369
10,000:查看
参考库存:7182
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