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晶体管
IRF2807STRRPBF参考图片

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IRF2807STRRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 106.7nC
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数量单价合计
1
¥12.1362
12.1362
10
¥10.3734
103.734
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.2659
3632.95
800
¥6.0116
4809.28
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
82 A
Rds On-漏源导通电阻
13 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
160 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
38 S
下降时间
48 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
64 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
49 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
SP001564670
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRF2807STRRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥3.2318
10:¥2.7007
100:¥1.6498
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1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
5,000:¥1.8758
参考库存:17410
晶体管
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1:¥20.2835
10:¥16.8257
100:¥13.0628
500:¥11.3678
2,500:¥8.7575
5,000:查看
参考库存:17413
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1:¥0.99892
10:¥0.87575
100:¥0.30736
1,000:¥0.20792
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1:¥82.9081
5:¥79.6876
10:¥76.6818
25:¥70.4668
参考库存:17419
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