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晶体管
NTHS4101PT1G参考图片

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NTHS4101PT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET -20V -6.7A P-Channel
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数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.3788
53.788
100
¥3.4691
346.91
1,000
¥2.7798
2779.8
3,000
¥2.3391
7017.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ChipFET-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
6.7 A
Rds On-漏源导通电阻
42 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Pd-功率耗散
1.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.05 mm
长度
3.05 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTHS4101P
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.65 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
28 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
85 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥234.4411
25:¥223.9095
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24,000:¥0.65314
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5,000:¥4.4748
10,000:¥4.3053
参考库存:31518
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