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晶体管
TK100E08N1,S1X参考图片

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TK100E08N1,S1X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET 80V N-Ch PWR FET 9000pF 130nC 214A
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库存:5,007(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.9675
27.9675
10
¥22.5096
225.096
100
¥20.5208
2052.08
250
¥18.5207
4630.175
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
214 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
130 nC
配置
Single
商标名
DTMOSIV
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
系列
TK100E08N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TK100E08N1,S1X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
1:¥3.5369
10:¥2.0566
100:¥0.96841
1,000:¥0.7458
3,000:¥0.61472
参考库存:8729
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS5
1:¥111.644
5:¥107.2709
10:¥103.2707
25:¥94.8974
参考库存:4357
晶体管
MOSFET N-channel 30 V 18.1 mo FET
1:¥3.5369
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
1,500:¥1.3786
参考库存:6860
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
1:¥2.2261
10:¥1.4803
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
2,000:¥0.32996
参考库存:15262
晶体管
IGBT 模块 Bridge Rectifier 1200V
1:¥278.7032
5:¥272.556
10:¥260.0243
25:¥249.1876
参考库存:4292
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