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晶体管
TK100E08N1,S1X参考图片

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TK100E08N1,S1X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET 80V N-Ch PWR FET 9000pF 130nC 214A
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库存:5,007(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.9675
27.9675
10
¥22.5096
225.096
100
¥20.5208
2052.08
250
¥18.5207
4630.175
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
214 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
130 nC
配置
Single
商标名
DTMOSIV
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
系列
TK100E08N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TK100E08N1,S1X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A
1:¥10.7576
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
2,000:¥4.0906
10,000:查看
参考库存:5515
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
1:¥4.1471
10:¥2.3956
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.72207
参考库存:7277
晶体管
MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET
1:¥11.526
10:¥9.7632
100:¥7.7631
500:¥6.8365
2,500:¥5.2658
5,000:查看
参考库存:40240
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -30V -5A 10W Pwr trnstr Low VCE
1:¥6.3054
10:¥5.1867
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
2,500:¥2.6781
参考库存:6722
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 580A
1:¥1,217.4507
5:¥1,188.1724
10:¥1,158.6681
25:¥1,142.3848
参考库存:4393
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