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晶体管
IRFU3607PBF参考图片

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IRFU3607PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
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数量单价合计
1
¥12.3735
12.3735
10
¥10.5316
105.316
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.1755
3587.75
1,000
¥5.6613
5661.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
7.34 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
56 nC
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
封装
Tube
高度
6.22 mm
长度
6.73 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.38 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001557738
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IRFU3607PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI8487DB-T1-E1
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6
1:¥5.3788
10:¥4.1358
100:¥3.0736
500:¥2.5199
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.9549
参考库存:5567
IRF9321TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT P-Ch -30V -15A 7.2mOhm
1:¥5.763
10:¥4.8364
100:¥3.1301
1,000:¥2.4973
4,000:¥2.4973
参考库存:9210
NSBA124EDXV6T1G
ON Semiconductor
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1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
参考库存:10648
RN2706JE(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans PNP x 2 ESV, -50V, -100A
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.58421
参考库存:6649
EMD2T2R
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP/NPN 50V 30MA
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:9356
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