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晶体管
NTZD3154NT1G参考图片

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NTZD3154NT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
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库存:27,196(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.034
20.34
100
¥0.87575
87.575
1,000
¥0.66896
668.96
4,000
¥0.50737
2029.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
570 mA
Rds On-漏源导通电阻
550 mOhms, 550 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
1.5 nC, 1.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
280 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTZD3154N
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.2 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
1 S, 1 S
下降时间
8 ns, 8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns, 4 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns, 16 ns
典型接通延迟时间
6 ns, 6 ns
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格,NTZD3154NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Small-signal MOSFET
1:¥1.2317
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:201365
晶体管
MOSFET N Ch 800V 13 Ohm 1A
1:¥5.4579
10:¥4.4974
100:¥2.9041
1,000:¥2.3278
2,000:¥1.9662
参考库存:15211
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/40 FAST IGBT FSII T
1:¥40.2619
10:¥34.1938
100:¥29.6625
250:¥28.1257
参考库存:10589
晶体管
MOSFET Nch 60V 12A Si MOSFET
1:¥5.2206
10:¥4.3618
100:¥2.8137
1,000:¥2.2487
3,000:¥1.8984
参考库存:6317
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥33.5045
10:¥26.9731
100:¥24.5097
250:¥22.1254
参考库存:7733
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