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射频晶体管
NSVF4015SG4T1G参考图片

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NSVF4015SG4T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 100MA 12V FT=10G
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数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.616
36.16
100
¥2.2035
220.35
1,000
¥1.7063
1706.3
3,000
¥1.4577
4373.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
100 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-82FL-4
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
10 GHz
商标
ON Semiconductor
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，NSVF4015SG4T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AGR19180EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 38Watt Gain 14.5dB
10:¥968.184
30:¥857.5344
50:¥774.5472
100:¥746.8848
参考库存:18179
PD85025-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥220.0675
5:¥217.8414
10:¥203.0158
25:¥193.8628
参考库存:18182
MRFE6VP61K25HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
1:¥1,330.9479
5:¥1,298.9011
10:¥1,266.7074
25:¥1,248.9551
50:¥1,248.9551
参考库存:4767
PTFB072707FH-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥914.396
参考库存:18187
BFU550XRVL
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
10,000:¥0.56839
参考库存:18190
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