您好！欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

首 页 商品目录 品牌专区 BOM配单 品牌入驻 自营现货
射频晶体管
D1008UK参考图片

图片仅供参考， 请参阅产品规格

  • 分享到：
  • 0

D1008UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 80W-28V-500MHz PP
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • 公司名：
  • *联系人：
  • *电话：
  • *邮箱：
   微信：      QQ：
库存：15,843(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,139.0739
1139.0739
10
¥1,005.8356
10058.356
25
¥892.5757
22314.3925
50
¥845.9293
42296.465
询价数量：
加入询价单立即询价
相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
10 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
13 dB
输出功率
80 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DK
配置
Dual
高度
4.82 mm
长度
24.76 mm
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
175 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D1008UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CE3512K2-C1
CEL
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
1:¥8.8366
10:¥6.7574
100:¥4.9155
500:¥4.181
10,000:¥3.0736
参考库存:26229
MRF313
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥345.78
10:¥288.15
25:¥259.335
50:¥230.52
参考库存:2850
1517-110M
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,925.8412
参考库存:16343
BLV32F
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥734.8164
10:¥674.271
25:¥605.115
50:¥535.959
参考库存:16346
CGHV40320D-GP4
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
暂无价格
参考库存:16349
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话：0755-82865099

手机：19129491934

传真：0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址：深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们