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射频晶体管
A3T21H456W23SR6参考图片

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A3T21H456W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS TRNSTR 2110-2200 MHz 87W30V
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数量单价合计
150
¥911.0964
136664.46
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.6 A, 3.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
15.5 dB
输出功率
87 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4L2S
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
系列
A3T21H456
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V, 1.4 V
零件号别名
935371527128
商品其它信息
优势价格，A3T21H456W23SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC5087YTE85LF
Toshiba
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Radio-Freq Bipolar 80mA 150mW 12V
1:¥3.5369
10:¥2.3165
100:¥1.2882
1,000:¥0.94468
3,000:¥0.81473
参考库存:2771
BFR 193L3 E6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.07576
15,000:¥0.791
参考库存:16543
PD84001
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射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
1:¥20.5886
10:¥17.515
100:¥13.9894
500:¥12.2944
2,500:¥9.4468
参考库存:3308
AFV121KGSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KGS/CFM4///REEL 13
50:¥3,879.5725
参考库存:15048
ARF468AG
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥372.7531
2:¥362.6057
5:¥352.5374
10:¥342.4804
参考库存:1575
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