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射频晶体管
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TGF2160

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE
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100
¥132.7072
13270.72
300
¥124.0175
37205.25
500
¥115.9493
57974.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
10.4 dB
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 7 V
Id-连续漏极电流
517 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5.6 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
配置
Dual
工作频率
20 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
产品
RF JFET
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
619 mS
通道数量
2 Channel
P1dB - 压缩点
32.5 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098617
商品其它信息
优势价格，TGF2160的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AGR09130EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 921-960MHz 150Watt Gain 18dB
1:¥963.4154
5:¥884.0442
10:¥793.373
25:¥702.7018
参考库存:15926
AGR19060EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 12Watt Gain 15.5dB
10:¥699.244
30:¥619.3304
50:¥559.3952
100:¥539.4168
参考库存:15929
A2T08VD020NT1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T08VD020N/HQFN24///REEL 13 Q2 DP
1,000:¥185.7946
参考库存:15932
AFT21S220W02SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 50 W Avg. 28 V
250:¥995.5413
参考库存:15935
BFP 520 H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.4578
10:¥2.6668
100:¥1.4464
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.9379
9,000:¥0.87575
参考库存:4047
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