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射频晶体管
BF999E6327HTSA1参考图片

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BF999E6327HTSA1

  • Infineon Technologies
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.825
28.25
100
¥1.7289
172.89
1,000
¥1.3334
1333.4
3,000
¥1.1413
3423.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
SOT-23-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
BF999
类型
RF Small Signal MOSFET
商标
Infineon Technologies
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
零件号别名
999 BF BF999E6327XT E6327 SP000010985
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BF999E6327HTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V
250:¥983.3938
参考库存:15379
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor
1:¥2.3052
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:38661
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 11dB 57% PAE@12GHz
100:¥112.1864
300:¥104.8866
500:¥97.971
1,000:¥91.5978
参考库存:15384
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 60W-12.5V-175MHz PP
1:¥1,074.8334
10:¥949.1322
25:¥842.2455
50:¥798.2094
参考库存:15387
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥292.4553
10:¥283.3136
25:¥272.782
50:¥267.019
参考库存:15390
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