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射频晶体管
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2N6439

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数量单价合计
1
¥668.508
668.508
10
¥557.09
5570.9
25
¥501.381
12534.525
50
¥445.672
22283.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
集电极—发射极最大电压 VCEO
33 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
316-01
封装
Tray
工作频率
400 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
增益带宽产品fT
400 MHz
Pd-功率耗散
146 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,2N6439的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.3617
1,000:¥1.8306
3,000:¥1.5594
参考库存:6623
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T18H455W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥873.7499
参考库存:16644
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,574.5307
2:¥1,536.6418
5:¥1,514.1322
10:¥1,492.6961
参考库存:3154
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥4.9155
10:¥4.068
100:¥2.486
1,000:¥1.9097
15,000:¥1.5255
参考库存:15127
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 55W
250:¥774.6263
参考库存:16651
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