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射频晶体管
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STAC4932B

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR 1000w/m 26dB N-Ch 123 MHz VHF/UHF
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数量单价合计
1
¥919.0064
919.0064
5
¥902.1016
4510.508
10
¥861.5346
8615.346
25
¥832.7874
20819.685
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 mA
Vds-漏源极击穿电压
200 V
增益
26 dB
输出功率
1.2 kW
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
STAC244B
封装
Tray
配置
Dual Common Source
工作频率
250 MHz
系列
STAC4932B
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
6 S
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
80
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
2.100 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF6VP3450HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230S
1:¥1,433.2242
5:¥1,401.2565
10:¥1,372.5884
25:¥1,352.3049
50:¥1,303.2064
参考库存:15962
RFM12U7X(TE12L,Q)
Toshiba
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
1:¥70.1504
10:¥63.167
25:¥57.5509
100:¥51.9461
1,000:¥37.8776
参考库存:15965
PTVA127002EV-V1-R250
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥7,143.2046
参考库存:15968
AUNA202
Advanced Semiconductor, Inc.
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射频(RF)双极晶体管 50 Ohm
1:¥587.826
10:¥539.4168
25:¥484.092
50:¥428.7672
100:¥358.3004
参考库存:15971
D2211UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-7.2V-1GHz SE
100:¥503.6862
参考库存:15974
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