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射频晶体管
PXAC261002FC-V1-R0参考图片

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PXAC261002FC-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50
¥597.1259
29856.295
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
增益
15.1 dB
输出功率
100 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
2490 MHz to 2690 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PXAC261002FC-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NPT25100B
MACOM
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.1-2.7GHz 125W Gain 16.5dB GaN
1:¥1,344.0898
2:¥1,306.9693
5:¥1,277.0017
10:¥1,239.6552
参考库存:1570
MRF8P9040NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 40W
1:¥191.4898
5:¥183.0374
10:¥176.6529
25:¥154.1433
500:¥132.9332
参考库存:15068
T2G6000528-Q3 28V
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
1:¥617.7936
25:¥522.8962
100:¥442.5984
参考库存:1641
AGR21125EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 28Watt Gain 14dB
10:¥793.373
30:¥702.7018
50:¥634.6984
100:¥612.0306
参考库存:15073
A2V09H400-04NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H400-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥782.0052
参考库存:15076
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