您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

射频晶体管
HFA3101BZ96参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

HFA3101BZ96

  • Renesas / Intersil
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W MILEL
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:14,944(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥73.0771
73.0771
10
¥66.0824
660.824
25
¥63.0088
1575.22
100
¥54.7146
5471.46
2,500
¥39.9568
99892
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
HFA3101
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5.5 V
集电极连续电流
0.03 A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
配置
Hex
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 3 V
高度
1.5 mm (Max)
长度
5 mm (Max)
工作频率
10000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
4 mm (Max)
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
10000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.03 A
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
72 mg
商品其它信息
优势价格,HFA3101BZ96的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2N
1:¥194.1001
5:¥185.5686
10:¥179.0372
25:¥156.2112
500:¥134.7751
参考库存:3644
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
1:¥6,170.252
参考库存:15657
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
1:¥4.1471
10:¥3.4352
100:¥2.1018
1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
参考库存:16202
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1008N/PLD4L///REEL 7 Q1 DP
1:¥123.4073
10:¥113.4972
25:¥108.4235
100:¥95.824
1,000:¥75.9134
参考库存:3101
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:2178
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们