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射频晶体管
BFR183E6327HTSA1参考图片

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BFR183E6327HTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.1131
21.131
100
¥0.97632
97.632
1,000
¥0.7458
745.8
3,000
¥0.63732
1911.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR183
技术
Si
封装 / 箱体
SOT-23-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
183 BFR BFR183E6327XT E6327 SP000011054
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BFR183E6327HTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-50V-500MHz SE
50:¥392.7315
100:¥386.5052
参考库存:16552
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
1:¥1,271.702
2:¥1,241.1242
5:¥1,227.9032
10:¥1,210.23
参考库存:16555
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16LD 3X3
6,000:¥37.4256
参考库存:16558
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
10:¥301.0546
参考库存:3260
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
10:¥3,869.3573
参考库存:16563
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