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射频晶体管

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MHT1004GNR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1004GN/FM2///REEL 13 Q2 DP
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数量单价合计
250
¥853.15
213287.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.7 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
15.2 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780G-2L
封装
Reel
工作频率
2.45 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
833 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935322425528
单位重量
3.081 g
商品其它信息
优势价格,MHT1004GNR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT
1:¥988.7726
2:¥961.4944
5:¥939.4481
10:¥912.0117
参考库存:1519
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V
1:¥3.3787
10:¥2.4295
100:¥1.11418
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.72998
参考库存:9090
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.8941
25:¥25.8996
50:¥23.052
参考库存:15008
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥823.8039
参考库存:15011
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
100:¥125.8594
200:¥114.7176
500:¥107.35
参考库存:15014
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