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射频晶体管
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D2294UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 15W-12.5V-500MHz SE
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
12 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
11 dB
输出功率
15 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-171-6
配置
Single
高度
7.11 mm
长度
24.77 mm
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.84 mm
商标
Semelab / TT Electronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
50 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D2294UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PD84010TR-E
STMicroelectronics
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100:¥422.0098
参考库存:15190
SKY68011-31EK1
Skyworks Solutions, Inc.
射频晶体管
射频开发工具 Evaluation Board
暂无价格
参考库存:15193
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