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射频晶体管

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相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	19 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	-
输出功率	200 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	-
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	NI400-2
封装	Tray
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	2.62 GHz to 2.69 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	500
子类别	Transistors
零件号别名	1130771

商品其它信息

优势价格，QPD2793的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
AFV141KHR5	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KH/CFM4F///REEL 13	50:¥3,771.8496	参考库存:16684
MHT2025GNR1	NXP Semiconductors	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT2025GN/FM17F///REEL 13 Q2 DP	500:¥211.9993	参考库存:16687
MDS60L	Microchip / Microsemi	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor	50:¥1,716.8316	参考库存:16690
TGF2929-FS	Qorvo	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN	1:¥2,697.084 25:¥2,434.133	参考库存:16693
BFS 483 H6327	Infineon Technologies	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR	1:¥4.9155 10:¥4.1132 100:¥2.6555 1,000:¥2.1244 3,000:¥2.1244	参考库存:5483