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射频晶体管
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PD85035TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
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数量单价合计
1
¥220.915
220.915
5
¥218.6098
1093.049
10
¥203.7842
2037.842
25
¥194.7103
4867.7575
600
¥157.9853
94791.18
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14.9 dB
输出功率
35 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1 GHz
系列
PD85035-E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
95 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，PD85035TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFR 182W H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.7686
10:¥3.1866
100:¥1.7854
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:8687
CGH40120F
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
1:¥2,165.8145
参考库存:5059
JANTX2N2857/TR
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
100:¥158.9797
200:¥145.9169
500:¥138.8544
参考库存:18492
BFU520YX
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥5.3788
10:¥4.7008
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
3,000:¥2.2261
9,000:¥2.1583
参考库存:6669
PXAC210552FC-V1-R2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥427.0044
参考库存:18497
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