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射频晶体管
A3G22H400-04SR3参考图片

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A3G22H400-04SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V
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库存:15,379(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥983.3938
245848.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
GaN
Id-连续漏极电流
29.7 mA
Vds-漏源极击穿电压
150 V
增益
15.3 dB
输出功率
79 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4
封装
Reel
工作频率
1800 MHz to 2200 MHz
系列
A3G22H400
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.3 V
零件号别名
935370222128
商品其它信息
优势价格,A3G22H400-04SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6600GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
250:¥654.5186
参考库存:15666
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KH/CFM4F///REEL 13
1:¥4,136.139
5:¥4,072.52
10:¥4,011.8955
25:¥3,925.3714
50:¥3,865.052
参考库存:15669
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF .9dB P1dB 24dBm
100:¥46.8724
300:¥43.7988
500:¥40.9512
1,000:¥38.2618
2,500:¥35.9566
参考库存:2371
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BI
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:6386
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1308H/CFM4F///REEL 13
1:¥1,646.297
5:¥1,609.572
10:¥1,576.5986
25:¥1,553.3206
50:¥1,496.9223
参考库存:15676
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