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射频晶体管
BFU730F,115参考图片

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BFU730F,115

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.825
28.25
100
¥1.7176
171.76
1,000
¥1.3334
1333.4
3,000
¥1.1413
3423.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
直流集电极/Base Gain hfe Min
205
集电极—发射极最大电压 VCEO
2.8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1 V
集电极连续电流
5 mA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT343F-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
10 V
直流电流增益 hFE 最大值
555
高度
0.75 mm
长度
2.2 mm
工作频率
55 GHz
类型
RF Silicon Germanium
宽度
1.35 mm
商标
NXP Semiconductors
Pd-功率耗散
197 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934064614115
单位重量
6.665 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2T18H160-24SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥693.4019
参考库存:15352
PTFB093608FV-V3-R2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,159.2105
参考库存:15355
PXAC241002FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥597.1259
参考库存:15358
MRF4427R2
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF NPN Transistor
2,500:¥10.2152
5,000:¥9.831
参考库存:15361
AGR19125EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 24Watt Gain 15dB
10:¥887.502
30:¥786.0732
50:¥710.0016
100:¥684.6444
参考库存:15364
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