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射频晶体管
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TGF2120

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 11dB 57% PAE@12GHz
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数量单价合计
100
¥112.1864
11218.64
300
¥104.8866
31465.98
500
¥97.971
48985.5
1,000
¥91.5978
91597.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
11 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 12 V
Id-连续漏极电流
194 mA
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
4.2 W
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
20 GHz
产品
RF JFET
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
464 mS
P1dB - 压缩点
31 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098613
商品其它信息
优势价格,TGF2120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MS004N/SIL3///REEL 7 Q2 NDP
1:¥15.142
10:¥13.9103
25:¥12.5995
100:¥11.3678
1,000:¥8.5315
参考库存:6760
CEL
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
1:¥12.2153
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.1472
10,000:¥4.7121
参考库存:11466
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor
1:¥2.2261
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:23451
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.15W 12.5V
1:¥4.0002
10:¥2.6555
100:¥1.4803
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.92999
参考库存:7369
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 15 Watt
1:¥531.1226
参考库存:4423
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