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射频晶体管
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TGF2120

  • Qorvo
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 11dB 57% PAE@12GHz
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数量单价合计
100
¥112.1864
11218.64
300
¥104.8866
31465.98
500
¥97.971
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¥91.5978
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
11 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 12 V
Id-连续漏极电流
194 mA
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
4.2 W
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
20 GHz
产品
RF JFET
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
464 mS
P1dB - 压缩点
31 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098613
商品其它信息
优势价格，TGF2120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF6V12500HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780H
1:¥2,904.6311
5:¥2,859.9848
10:¥2,817.4177
25:¥2,756.635
50:¥2,714.2939
参考库存:14880
QPA9842EVB-01
Qorvo
射频晶体管
射频开发工具 3.4-3.8 GHz .25W Eval Board
暂无价格
参考库存:14883
BLV57
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥1,289.9854
10:¥1,183.7202
25:¥1,062.313
50:¥940.9058
参考库存:1390
MMRF1008HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 275 W 50 V
1:¥2,439.3649
5:¥2,401.8602
10:¥2,366.1296
25:¥2,315.031
50:¥2,279.4586
参考库存:14888
FH2164
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥654.0666
5:¥588.6735
参考库存:1422
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