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射频晶体管
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TGF2120

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 11dB 57% PAE@12GHz
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数量单价合计
100
¥112.1864
11218.64
300
¥104.8866
31465.98
500
¥97.971
48985.5
1,000
¥91.5978
91597.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
11 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 12 V
Id-连续漏极电流
194 mA
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
4.2 W
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
20 GHz
产品
RF JFET
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
464 mS
P1dB - 压缩点
31 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098613
商品其它信息
优势价格,TGF2120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频开发工具 Evaluation Board
暂无价格
参考库存:14565
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:11732
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥751.111
10:¥689.2548
25:¥618.562
50:¥547.8692
参考库存:1079
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥945.6744
参考库存:14572
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
1:¥36.5781
10:¥29.4252
100:¥26.8149
250:¥24.2046
1,000:¥18.2834
参考库存:2008
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