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射频晶体管
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2SC2714-O(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Device FM band 30V Amp 23dB 100mW
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数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥2.2713
22.713
100
¥1.07576
107.576
1,000
¥0.82942
829.42
3,000
¥0.68365
2050.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
2SC2714
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
20 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-59-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
40 V
直流电流增益 hFE 最大值
200
工作频率
550 MHz (Typ)
工作温度范围
- 55 C to + 125 C
类型
FM Frequency Amplifier
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，2SC2714-O(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRFE6VP5600HR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
1:¥1,020.277
5:¥1,000.5359
10:¥967.4947
25:¥926.5322
150:¥830.7986
参考库存:3709
MRF160
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
1:¥218.2256
10:¥209.8523
参考库存:3694
PTFB192503FL-V2-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥823.8039
参考库存:17155
TGF2953
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
50:¥337.3276
100:¥291.766
250:¥274.2397
参考库存:3707
PTVA123501FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥3,941.1236
参考库存:17160
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