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射频晶体管
MMRF5014H-500MHZ参考图片

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MMRF5014H-500MHZ

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5014H-500MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
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数量单价合计
1
¥9,605.00
9605
5
¥9,451.4782
47257.391
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
P-Channel
技术
GaN SiC
Id-连续漏极电流
350 mA
Vds-漏源极击穿电压
150 V
增益
18 dB
输出功率
125 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-360H-2SB
工作频率
1 MHz to 2700 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
232 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V, 0 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.3 V
零件号别名
935345452598
单位重量
500 mg
商品其它信息
优势价格,MMRF5014H-500MHZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 36Watt Gain 15dB
1:¥751.111
5:¥689.2548
10:¥618.562
25:¥547.8692
参考库存:16639
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.3617
1,000:¥1.8306
3,000:¥1.5594
参考库存:6623
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T18H455W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥873.7499
参考库存:16644
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,574.5307
2:¥1,536.6418
5:¥1,514.1322
10:¥1,492.6961
参考库存:3154
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥4.9155
10:¥4.068
100:¥2.486
1,000:¥1.9097
15,000:¥1.5255
参考库存:15127
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