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射频晶体管
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SD1480

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库存:3,284(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥587.826
587.826
10
¥539.4168
5394.168
25
¥484.092
12102.3
50
¥428.7672
21438.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
35 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
20 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
M111
封装
Tray
工作频率
175 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
270 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,SD1480的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN 10V 150mA 4GHZ
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
1,000:¥4.181
参考库存:9607
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1018N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
500:¥382.1999
参考库存:18439
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz 25W Gain 13.5dB GaN HEMT
1:¥1,323.2639
2:¥1,286.6067
5:¥1,257.1815
10:¥1,220.4452
参考库存:18442
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
1:¥3.616
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.77631
参考库存:10609
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,281.0019
参考库存:18447
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