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射频晶体管
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MAGX-000040-0050TP

  • MACOM
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4 GHz Gain 13.5dB GaN SiC
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500
¥197.0946
98547.3
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参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
13.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
0.3 A
输出功率
5 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 95 C
Pd-功率耗散
12 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
封装
Reel
工作频率
4 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 95 C
类型
GaN SiC HEMT
商标
MACOM
正向跨导 - 最小值
0.1 S
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PD55008-E
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400:¥88.592
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50:¥874.1341
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V07H400-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V07H525-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
150:¥976.7155
参考库存:16313
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