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射频晶体管
BFR843EL3E6327XTSA1参考图片

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BFR843EL3E6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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库存：15,127(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.068
40.68
100
¥2.486
248.6
1,000
¥1.9097
1909.7
15,000
¥1.5255
22882.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
230
集电极—发射极最大电压 VCEO
2.25 V
集电极连续电流
55 mA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSLP-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
12 GHz
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
125 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
843EL3 BFR E6327 SP001062610
单位重量
0.470 mg
商品其它信息
优势价格，BFR843EL3E6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT21S240-12SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 55 W AVG. 28 V
250:¥759.2583
参考库存:15909
D2012UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz SE
1:¥579.2945
10:¥511.5284
25:¥453.9662
50:¥406.5627
参考库存:15912
D1212UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 60W-12.5V-175MHz PP
50:¥1,171.9682
参考库存:15915
SD1274-01
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥292.4553
10:¥283.3136
25:¥272.782
50:¥267.019
参考库存:2432
MAAM-009455-TR3000
MACOM
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dB
3,000:¥49.7878
参考库存:15920
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