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射频晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	15 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	80 mA
输出功率	7.2 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	8.9 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113799

商品其它信息

优势价格，TGF2933的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MMBT5551-G	Comchip Technology	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 VCEO=160V IC=600mA	1:¥3.2318 10:¥2.0905 100:¥0.94468 1,000:¥0.5989 3,000:¥0.45313	参考库存:7420
MRF7S24250NR3	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF7S24250N/FM2F///REEL 13 Q2 DP	1:¥1,100.959 5:¥1,079.602 10:¥1,043.9505 25:¥999.7675 250:¥896.4177	参考库存:15747
HFA3127BZ	Renesas / Intersil	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MIL	1:¥73.9924 10:¥66.8508 25:¥63.7772 100:¥55.3248	参考库存:2763
BFU550R	NXP Semiconductors	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor	1:¥4.1471 10:¥3.4352 100:¥2.1018 1,000:¥1.6159 3,000:¥1.3786	参考库存:24321
AFT18P350-4S2LR6	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST 1.8-2.0GHZ C	150:¥1,151.7525	参考库存:15754