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射频晶体管
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SD3931-10

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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数量单价合计
1
¥615.0251
615.0251
5
¥603.7364
3018.682
10
¥576.6051
5766.051
25
¥557.316
13932.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
10 A
Vds-漏源极击穿电压
250 V
增益
21.3 dB
输出功率
175 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M174
封装
Bulk
配置
Single
高度
7.11 mm
长度
24.89 mm
工作频率
150 MHz
系列
SD3931-10
类型
RF Power MOSFET
宽度
12.83 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
389 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格，SD3931-10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF154
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥3,842.00
10:¥3,726.74
25:¥3,665.268
参考库存:14682
A2G22S190-01SR3
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2G22S190-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
250:¥726.8273
参考库存:14685
MRF085HR5
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 High Ruggedness N--Channel
1:¥1,121.5589
5:¥1,099.7386
10:¥1,063.4656
25:¥1,018.4351
50:¥1,004.457
参考库存:1237
PTVA030121EA-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥468.0347
参考库存:14690
MRF392
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 100-400MHz 125Watts 28Volt Gain 10dB
1:¥748.7267
10:¥701.9334
25:¥685.4919
50:¥669.1182
参考库存:1286
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