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射频晶体管
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MRFE8VP8600HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE8VP8600HS/CFM4F///REEL 13
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1
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1163.1316
5
¥1,140.3056
5701.528
10
¥1,087.1278
10871.278
25
¥1,064.3131
26607.8275
50
¥1,064.3131
53215.655
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.8 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 115 V
增益
21 dB
输出功率
140 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S-4S
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
470 MHz to 860 MHz
系列
MRFE8VP8600H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.25 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935345546178
单位重量
13.264 g
商品其它信息
优势价格，MRFE8VP8600HSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥1.7967
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25:¥309.6652
参考库存:18325
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