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射频晶体管
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JANTXV2N2857UB/TR

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100
¥578.6843
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
否
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
40 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UB-3
封装
Reel
商标
Microchip / Microsemi
最大直流电集电极电流
40 mA
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，JANTXV2N2857UB/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP181E7764HTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:12356
GTVA263202FC-V1-R2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,866.1385
参考库存:16899
MRF8P8300HSR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230HS
150:¥1,073.6808
参考库存:16902
PTFB210801FA-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥383.6576
参考库存:16905
MRF315A
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥553.248
10:¥461.04
25:¥414.936
50:¥368.832
参考库存:16908
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