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射频晶体管
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JANTXV2N2857UB/TR

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100
¥578.6843
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
否
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
40 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UB-3
封装
Reel
商标
Microchip / Microsemi
最大直流电集电极电流
40 mA
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，JANTXV2N2857UB/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CGHV1J006D-GP4
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
10:¥245.2778
参考库存:2193
MMRF1312HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312HS/CFM4F///REEL 13
1:¥4,367.6647
5:¥4,300.5088
10:¥4,236.4943
25:¥4,145.0547
50:¥4,081.3566
参考库存:2087
MRFG35003N6AT1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5
1:¥103.4289
10:¥95.0556
25:¥90.8972
100:¥80.2978
1,000:¥63.619
参考库存:3022
AFT05MS031NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V
1:¥93.7448
10:¥86.219
25:¥82.377
100:¥72.772
500:¥62.8506
参考库存:2971
CGH40010F
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
1:¥429.3774
参考库存:2626
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