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射频晶体管
BFP 540 H6327参考图片

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BFP 540 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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库存：11,067(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.616
36.16
100
¥2.2035
220.35
1,000
¥1.7063
1706.3
3,000
¥1.4577
4373.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP540
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1 V
集电极连续电流
0.08 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
14 V
高度
0.9 mm
长度
2 mm
工作频率
30000 MHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.25 mm
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP540H6327XTSA1 BFP54H6327XT SP000745288
单位重量
7 mg
商品其它信息
优势价格，BFP 540 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSVF3007SG3T1G
ON Semiconductor
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF-TR 12V 30MA FT=8G NPN
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:5977
MRF6V12500GSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF6V12500GS/CFM2///REEL 13
50:¥2,727.6618
参考库存:16943
MHT2000GNR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 2450 MHz 25 W CW 28 V
500:¥312.8179
参考库存:16946
PTFB213004F-V2-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,097.7385
参考库存:16949
BFP 720FESD H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥4.068
10:¥3.3674
100:¥2.0566
1,000:¥1.5933
3,000:¥1.356
参考库存:6443
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