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射频晶体管
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AFT27S010NT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, .7-3.6GHz 1.26W
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数量单价合计
1
¥123.5542
123.5542
10
¥113.565
1135.65
25
¥108.5704
2714.26
100
¥95.9709
9597.09
1,000
¥75.9925
75992.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
90 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
21.7 dB
输出功率
1.26 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5W
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
100 MHz to 3.6 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
零件号别名
935317972515
单位重量
280 mg
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF557
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.815
25:¥25.8996
50:¥23.052
参考库存:3228
BFP640FH6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.4578
10:¥2.9041
100:¥1.7628
1,000:¥1.3673
3,000:¥1.1639
参考库存:12473
MRF10120
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥1,344.70
参考库存:3066
D1004UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 80W-28V-175HMz SE
50:¥586.6734
100:¥570.4579
参考库存:16539
BFR 340L3 E6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.2261
100:¥1.2091
1,000:¥0.90626
15,000:¥0.66896
参考库存:17761
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