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射频晶体管
NESG270034-EV09-AZ参考图片

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NESG270034-EV09-AZ

  • CEL
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 For NESG270034-AZ
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数量单价合计
1
¥1,056.55
1056.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
CEL
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
发射极 - 基极电压 VEBO
2.8 V
集电极连续电流
750 mA
安装风格
SMD/SMT
类型
RF Silicon Germanium
商标
CEL
Pd-功率耗散
1.9 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,NESG270034-EV09-AZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
1:¥1,137.9213
2:¥1,118.9486
5:¥1,100.5748
10:¥1,082.8338
25:¥1,043.7923
参考库存:14835
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥553.248
10:¥461.04
25:¥414.936
50:¥368.832
参考库存:1346
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
1:¥3,146.7562
参考库存:1394
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.9x2.8mm Gull wing
1:¥2.5312
10:¥1.6611
100:¥0.78422
500:¥0.59212
3,000:¥0.35369
参考库存:4216
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz
1:¥1,081.6021
5:¥1,060.392
10:¥1,010.9884
25:¥989.6992
参考库存:14844
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