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射频晶体管
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SD3932

  • STMicroelectronics
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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数量单价合计
1
¥1,246.729
1246.729
5
¥1,216.7614
6083.807
10
¥1,186.4887
11864.887
25
¥1,169.889
29247.225
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
250 V
增益
26.8 dB
输出功率
350 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M244
封装
Tube
配置
Dual
高度
5.84 mm
长度
34.16 mm
工作频率
250 MHz
系列
SD3932
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.91 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
500 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
90
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 40MA 3.5V FT=25G
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:5237
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1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,000:¥2.2939
参考库存:3330
射频晶体管
射频开发工具 Evaluation Board
暂无价格
参考库存:14973
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1:¥2.8476
10:¥2.1809
100:¥1.1865
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.7684
9,000:¥0.71416
参考库存:21697
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
1:¥1,536.80
25:¥1,329.332
参考库存:1507
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