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射频晶体管
QPD1019参考图片

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QPD1019

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
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数量单价合计
18
¥4,072.52
73305.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
16.3 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 7 V to 2 V
Id-连续漏极电流
15 A
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
522 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
配置
Single
工作频率
2.9 GHz to 3.3 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD1019EVB01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,QPD1019的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥599.352
10:¥499.46
25:¥449.514
50:¥399.568
参考库存:17958
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥512.6019
参考库存:17961
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.0002
10:¥3.3222
100:¥2.0227
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:7413
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:10014
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 150W-28V-175MHz PP
50:¥1,279.612
参考库存:17968
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