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射频晶体管
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MRF426

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 1.5-30MHz 25Watts 28Volt Gain 22dB
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数量单价合计
1
¥270.3186
270.3186
5
¥265.0189
1325.0945
10
¥263.5612
2635.612
25
¥243.2777
6081.9425
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
集电极—发射极最大电压 VCEO
35 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
3 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
211-07
封装
Tray
工作频率
30 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
MACOM
最大直流电集电极电流
6 A
Pd-功率耗散
70 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，MRF426的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BLV25
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥1,224.6714
10:¥1,123.785
25:¥1,008.525
50:¥893.265
参考库存:3438
STAC2933
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 20dB 30MHz STAC N-Ch MOS RF 150MHz
1:¥799.136
5:¥784.3782
10:¥749.1109
25:¥724.1379
参考库存:3481
A2T20H160W04NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T20H160W04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
1:¥658.903
5:¥646.0662
10:¥624.7883
25:¥598.3576
250:¥536.5014
参考库存:16934
MRF148A
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 30Watts 50Volt Gain 18dB
1:¥291.6078
10:¥280.5451
参考库存:3627
ARF448BG
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥346.9326
5:¥328.1859
10:¥324.423
25:¥299.9811
参考库存:3467
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