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射频晶体管
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MRF314

  • MACOM
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  • 射频(RF)双极晶体管 30-200MHz 30Watts 28Volt Gain 10dB
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数量单价合计
1
¥227.9097
227.9097
10
¥217.073
2170.73
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
35 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
3.4 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
211-07
封装
Tray
工作频率
200 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
MACOM
Pd-功率耗散
82 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,MRF314的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
1:¥88.2869
10:¥79.7554
25:¥69.5402
100:¥66.0824
1,000:¥48.6352
参考库存:4772
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥591.2047
参考库存:17752
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.0x2.1mm Flat lead
1:¥2.6894
10:¥1.7515
100:¥0.82264
500:¥0.62263
3,000:¥0.3842
参考库存:9379
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 350W Gain: 9.4dB min
1:¥3,276.2994
参考库存:4257
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA
1:¥3.3787
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
9,000:¥0.86106
参考库存:12597
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