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射频晶体管
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MRF314

  • MACOM
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  • 射频(RF)双极晶体管 30-200MHz 30Watts 28Volt Gain 10dB
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数量单价合计
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10
¥217.073
2170.73
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
35 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
3.4 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
211-07
封装
Tray
工作频率
200 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
MACOM
Pd-功率耗散
82 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,MRF314的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt
1:¥1,206.8513
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1:¥1,386.8038
25:¥1,251.5654
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射频晶体管
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1:¥230.5991
10:¥227.1413
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射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN
1:¥1,272.0862
25:¥1,110.1798
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射频晶体管
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3,000:¥1.03734
9,000:¥0.96841
24,000:¥0.89157
45,000:¥0.84524
参考库存:15557
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