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射频晶体管
MRFX1K80N-88MHZ参考图片

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MRFX1K80N-88MHZ

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX1K80N-88MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
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10
¥7,377.1033
73771.033
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
43 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 179 V
增益
24.4 dB
输出功率
1.8 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230-4
工作频率
1.8 MHz to 400 MHz
系列
MRFX1K80
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
44.7 S
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
3333 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935369639598
商品其它信息
优势价格，MRFX1K80N-88MHZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PD57006TR-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
600:¥85.9026
参考库存:15261
HFA3127RZ
Renesas / Intersil
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16LD 3X3
1:¥73.9924
10:¥66.8508
50:¥63.7772
100:¥55.3248
参考库存:2252
DME400A
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25:¥2,452.8119
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1:¥2.6894
10:¥2.0566
100:¥1.11418
1,000:¥0.83733
3,000:¥0.72207
9,000:¥0.67574
参考库存:11690
1090MP
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
50:¥825.4198
100:¥795.4522
参考库存:15271
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