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射频晶体管
MRF6V2150NBR1参考图片

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MRF6V2150NBR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W
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数量单价合计
500
¥364.0634
182031.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
增益
25 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-272-4
封装
Reel
配置
Single Dual Drain Dual Gate
高度
2.64 mm
长度
23.67 mm
工作频率
220 MHz
系列
MRF6V2150N
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.07 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.62 V
零件号别名
935316841528
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，MRF6V2150NBR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BLV10
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥484.092
10:¥403.41
25:¥363.069
50:¥322.728
参考库存:15504
BFS 17W H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.52206
参考库存:14761
A2T21H410-24SR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H410-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,282.0754
参考库存:15509
PTVA035002EV-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥2,586.3553
参考库存:15512
UF28150J
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB
1:¥2,069.9114
10:¥2,037.7968
参考库存:2023
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